Хронология ЦП Intel

2008 г, январь. Intel Celeron (ядро Allendale).

Intel Celeron E1200, Intel Celeron E1400, Intel Celeron E1500, Intel Celeron E1600.

Линейка двухядерных 64-разрядных процессоров, выпускаемых компанией Intel с января 2008 года. Всего было выпущено четыре модификации процессоров, последняя из которых была представлена в мае 2009 года.

Процессоры основывались на микроархитектуре Core, производились по технологии – 65 нм, и содержали КЭШ-память второго уровня объемом – 512 Мб. Устанавливались в разъем LGA 775. Процессоры работали на частоте – 1,6-2,4 ГГц, с частотой шины FSB – 800 МГц. Рабочее напряжение, в зависимости от модификации, изменялось от 0,962 до 1,312 В, а потребляемая мощность – 65 Вт.

Поддерживались инструкции: MMX, SSE, SSE2, SSE3, SSSE3, Intel 64, и технологии: Enhanced Intel SpeedStep и EDB.

Процессоры этой серии представляли собой дешевый вариант процессоров Intel Pentium с ядрами Allendale или Conroe, основное отличие от которых заключалось в уменьшенной, с 1 Мб до 512 Кб, КЭШ-памяти. [2][3][8][9]

2008 г, январь. Intel Core 2 Duo (ядро Wolfdale).

Intel Core 2 Duo E7200, Intel Core 2 Duo E7300, Intel Core 2 Duo E7400, Intel Core 2 Duo E7500, Intel Core 2 Duo E7600, Intel Core 2 Duo E8190, Intel Core 2 Duo E8200, Intel Core 2 Duo E8300, Intel Core 2 Duo E8400, Intel Core 2 Duo E8500, Intel Core 2 Duo E8600.

Линейка двухядерных 64-разрядных процессоров, выпускаемых компанией Intel с января 2008 года. Всего в линейке насчитывается 11 модификаций процессоров, последняя из которых была представлена в мае 2009 года.

Процессоры базировались на микроархитектуре Penryn и производились по технологии – 45 нм. Различалось две группы процессоров: 1) с КЭШ-памятью второго уровня – 3 Мб, и 2) с КЭШ-памятью второго уровня – 6 Мб. В процессорах использовалась тактовая частота – 2,53-3,33 ГГц, с частотой шины FSB – 1066-1333 МГц.

Поддерживались наборы инструкций: MMX, SSE, SSE2, SSE3, SSSE3, SSE4.1, Intel 64, и технологии: Enhanced Intel SpeedStep Technolog, XD bit, iAMT2, Intel VT-x (для Intel Core 2 Duo E8ххх) и TXT (для Intel Core 2 Duo E8ххх).

45-нм технология производства, наборы инструкций SSE4.1, большой объем КЭШ-памяти второго уровня, микроархитектура Penryn, высокая тактовая частота и быстрая системная шина – производили отличное впечатление, практически, не оставляя шансов конкурентам в сегменте высокопроизводительных процессоров для настольных ПК 2009 года. [2][3][9][10]

2008 г, январь. Intel Core 2 Duo Mobile (ядро Penryn).

Intel Core 2 Duo E8135, Intel Core 2 Duo E8235, Intel Core 2 Duo E8335, Intel Core 2 Duo E8435, Intel Core 2 Duo T6400, Intel Core 2 Duo T6500, Intel Core 2 Duo T6570, Intel Core 2 Duo T6600, Intel Core 2 Duo T6670, Intel Core 2 Duo T8100, Intel Core 2 Duo T8300, Intel Core 2 Duo T9300, Intel Core 2 Intel Duo T9400, Intel Core 2 Duo T9500, Intel Core 2 Duo T9550, Intel Core 2 Duo T9600, Intel Core 2 Duo T9800, Intel Core 2 Duo T9900, Intel Core 2 Duo P7350, Intel Core 2 Duo P7370, Intel Core 2 Duo P7450, Intel Core 2 Duo P7550, Intel Core 2 Duo P7570, Intel Core 2 Duo P8400, Intel Core 2 Duo P8600, Intel Core 2 Duo P8700, Intel Core 2 Duo P8800, Intel Core 2 Duo P9500, Intel Core 2 Duo P9600, Intel Core 2 Duo P9700, Intel Core 2 Duo SP9300, Intel Core 2 Duo SP9400, Intel Core 2 Duo SP9600, Intel Core 2 Duo SL9300, Intel Core 2 Duo SL9380, Intel Core 2 Duo SL9400, Intel Core 2 Duo SL9600, Intel Pentium SU4100, Intel Core 2 Duo SU7300, Intel Core 2 Duo SU9300, Intel Core 2 Duo SU9400, Intel Core 2 Duo SU9600.

Большая линейка из 42 модификаций двухядерных 64-разрядных процессоров, выпускаемых компанией Intel с января 2008 года.

В линейку входили процессоры: 1) со стандартным напряжением, равным 1-1,2125 В, и расчетной мощностью – 35-55 Вт (Core 2 Duo E8xxx, T6xxx, T8xxx, T9xxx), 2) со средним напряжением, равным 0,9-1,250 В, и расчетной мощностью – 25-28 Вт (Core 2 Duo P7xxx, P8xxx, P9xxx, SP9xxx), 3) с низким напряжением, равным 1,050-1,150 В, и расчетной мощностью – 17 Вт (Core 2 Duo SL9xxx), 4) со сверхнизким напряжением, равным 1,05-1,15 В, и расчетной мощностью – 10 Вт (Core 2 Duo SU4xxx, SU9xxx).

Все процессоры производились по технологии – 45 нм, работали на тактовой частоте – 1,2-2,8 Гц, с тактовой частотой шины FSB – 800-1066 МГц.

В зависимости от модификации процессоров, поддерживались инструкции и технологии: MMX, SSE, SSE2, SSE3, SSSE3, SSE4.1, Enhanced Intel SpeedStep Technology, Intel 64, XD bit, iAMT2, Intel VT-x и TXT, IDA.

Это были процессоры для мобильных устройств, перекрывающие, практически, все сегменты этого рынка, от мощных процессоров с высоким энергопотреблением, для больших ноутбуков, до процессоров со сверхнизким энергопотреблением, для мобильных устройств с долгой автономной работой. [2][3][9][10]

2008 г, январь. Intel Core 2 Extreme Mobile (ядро Penryn XE).

Intel Core 2 Extreme X9000, Intel Core 2 Extreme X9100.

Линейка из двух 64-разрядных двухядерных процессоров для мобильных устройств, выпускаемых компанией Intel с января 2008 года.

Процессоры производились по технологии – 45 нм, содержали 410 млн. транзисторов в ядре и устанавливались в разъем PPGA478. Тактовая частота процессоров – 2,8 ГГц, для X9000, и 3,07 ГГц, для X9100, при частоте шины FSB – 800 и 1066 МГц соответственно. Коэффициент умножения – свободный, что позволяло легко их разгонять. Рабочее напряжение – 1,062-1,150 В, расчетная потребляемая мощность – 44 Вт.

Поддерживались следующие технологии и наборы инструкций: MMX, SSE, SSE2, SSE3, SSSE3, SSE4.1, Enhanced Intel SpeedStep Technology, Intel 64, XD bit, iAMT2, Intel VT-x, TXT.

Мощные процессоры с высоким энергопотреблением предназначались для домашних ноутбуков, все чаще заменяющих персональные компьютеры и большую часть времени работающих от сети. [2][3][9][10]

2008 г, январь. Intel Xeon (ядро Yorkfield-6M).

Intel Xeon X3320, Intel Xeon X3330.

Линейка четырехядерных процессоров, выпускаемых компанией Intel с 7 января 2008 года. Всего в линейку входило две модификации процессоров, первая из которых (Xeon X3320) была представлена 7 января 2008 года, а последняя (Xeon X3330) – 10 августа 2008 года.

Процессоры основывались на микроархитектуре Penryn, производились по технологии – 45 нм, и содержали два уровня КЭШ-памяти (два блока КЭШ-памяти второго уровня по 3 Мб каждый). Устанавливались процессоры в разъем LGA 775. Тактовая частота изменялась от 2,5 ГГц до 2,67 ГГц. В качестве системной шины использовалась шина FSB, работающая на тактовой частоте – 1333 МГц. Рабочее напряжение составляло 0,85-1,3625 В, а расчетная потребляемая мощность – 95 Вт.

Поддерживались наборы инструкций и технологии: MMX, SSE, SSE2, SSE3, SSSE3, SSE4.1, EIST, Enhanced Halt State, Intel 64, XD bit, Intel VT-x.

Процессоры этой линейки представляли собой ребрендинг процессоров Core 2 Quad Q9300 и Core 2 Quad Q9400 из линейки процессоров Core 2 Quad ядро Yorkfield-6M и, практически, ничем от них не отличались. [3][9]

2008 г, январь. Intel Xeon (ядро Yorkfield).

Intel Xeon X3350, Intel Xeon X3360, Intel Xeon X3370, Intel Xeon X3380, Intel Xeon L3360.

Линейка четырехядерных процессоров, выпускаемых компанией Intel с 7 января 2008 года. Всего в линейку входило пять модификаций процессоров, последние из которых были представлены 22 февраля 2009 года.

Процессоры основывались на микроархитектуре Penryn, производились по технологии – 45 нм, и содержали два уровня КЭШ-памяти (два блока КЭШ-памяти второго уровня по 6 Мб каждый). Устанавливались в разъем LGA 775. Тактовая частота изменялась от 2,67 ГГц до 3,17 ГГц. В качестве системной шины использовалась шина FSB, работающая на тактовой частоте – 1333 МГц. Рабочее напряжение составляло 0,85-1,3625 В, а расчетная потребляемая мощность – 65 Вт, для Intel Xeon L3360, и 95 Вт, для остальных модификаций.

Поддерживались наборы инструкций и технологии: MMX, SSE, SSE2, SSE3, SSSE3, SSE4.1, EIST, Enhanced Halt State, Intel 64, XD bit, Intel VT-x.

Процессоры этой линейки представляли собой процессоры Intel Xeon (ядро Yorkfield-6M) с увеличенным в два раза объемом КЭШ-памяти второго уровня и увеличенной тактовой частотой работы процессоров. Также в этой линейке был процессор с пониженным энергопотреблением (Intel Xeon L3360).

По своей сути, процессоры этой линейки представляли собой ребрендинг процессоров линейки Core 2 Quad ядро Yorkfield и, практически, ничем от них не отличались. [3][9][14]

2008 г, февраль. Intel Xeon (ядро Wolfdale-CL).

Intel Xeon L3014, Intel Xeon E3113.

Линейка из двух процессоров, производимых компанией Intel с 27 февраля 2008 года. Первым был представлен одноядерный процессор – Xeon L3014, позже, 8 сентября 2008 года, была представлена двухядерная модификация процессоров – Xeon E3113.

Процессоры основывались на микроархитектуре Penryn, производились по технологии – 45 нм, и содержали два уровня КЭШ-памяти (L2 КЭШ – 3 Мб, для процессоров Xeon L3014, и 6 Мб, для процессоров Xeon E3113). Устанавливались в разъем LGA 771. Тактовая частота составляла 2,3 ГГц (Xeon L3014) и 3 ГГц (Xeon E3113). В качестве системной шины использовалась шина FSB, работающая на тактовой частоте – 1066 МГц (Xeon L3014) и 1333 МГц (Xeon E3113).

Рабочее напряжение составляло 0,85-1,3625 В, а расчетная потребляемая мощность – 30 Вт (Xeon L3014) и 65 Вт (Xeon E3113).

Поддерживались наборы инструкций и технологии: MMX, SSE, SSE2, SSE3, SSSE3, SSE4.1, EIST, Intel 64, XD bit, Intel VT-x. [3][9]

2008 г, март. Intel Xeon (ядро Yorkfield-CL).

Intel Xeon X3323, Intel Xeon X3353, Intel Xeon X3363.

Линейка четырехядерных процессоров, выпускаемых компанией Intel с марта 2008 года. Всего в линейку входило три модификации процессоров.

Процессоры основывались на микроархитектуре Penryn, производились по технологии – 45 нм, и содержали два уровня КЭШ-памяти (два блока КЭШ-памяти второго уровня по 3 Мб каждый, для модификаций Xeon X3323, и по 6 Мб, для остальных модификаций процессоров). Устанавливались процессоры в разъем LGA 771. Тактовая частота изменялась от 2,5 ГГц до 2,83 ГГц. В качестве системной шины использовалась шина FSB, работающая на тактовой частоте – 1333 МГц. Рабочее напряжение составляло 0,85-1,3625 В, а расчетная потребляемая мощность – 80 Вт.

Поддерживались наборы инструкций и технологии: MMX, SSE, SSE2, SSE3, SSSE3, SSE4.1, EIST, Enhanced Halt State, Intel 64, XD bit, Intel VT-x.

Процессоры этой линейки были очень похожи на процессоры линеек Intel Xeon (ядро Yorkfield). Основное отличие состояло в несколько пониженном энергопотреблении (80 Вт против 95 Вт) и разъеме, в который они устанавливались. [3][9]

2008 г, апрель. Intel Atom (ядро Silverthorne).

Intel Atom Z500, Intel Atom Z510, Intel Atom Z510P, Intel Atom Z510PT, Intel Atom Z515, Intel Atom Z520, Intel Atom Z520PT, Intel Atom Z530, Intel Atom Z530P, Intel Atom Z540, Intel Atom Z550, Intel Atom Z560.

Линейка одноядерных 32-разрядных процессоров для компактных мобильных устройств класса MID (Mobile Internet Device – компактные устройства для просмотра веб-страниц и работы с интернет-сервисами).

Процессоры выпускались компанией Intel с апреля 2008 года. Всего в линейке было выпущено 12 модификаций процессоров, последняя из которых была представлена во втором квартале 2010 года.

Производились процессоры по технологии – 45 нм, содержали 47 млн. транзисторов в ядре и содержали КЭШ-память второго уровня – 512 Кб, устанавливались, в зависимости от модификации, в разъемы BGA 441 или BGA 437. Работали на тактовой частоте – от 800 МГц до 2,13 ГГц, с шиной FSB с частотой – 400-533 МГц. Рабочее напряжение составляло 0,712-1,1 В, а расчетная потребляемая мощность – 0,65-2,5 Вт.

Во всех процессорах использовались технологии и наборы инструкций: MMX, SSE, SSE2, SSE3, SSSE3, Enhanced Intel SpeedStep Technology, XD bit. Часть процессоров поддерживала технологии: Hyper-Threading и Intel VT-x. [2][3][9][13][14][24]

2008 г, май. Intel Core 2 Solo (ядро Penryn-L).

Intel Core 2 Solo SU3300, Intel Core 2 Solo SU3500.

Линейка из двух 64-разрядных процессоров для мобильных устройств, выпускаемых компанией Intel с мая 2008 года.

По сравнению с линейкой Intel Core 2 Solo (ядро Penryn), эти процессоры отличались пониженным тепловыделением при более высокой тактовой частоте и увеличенной до 3 Мб КЭШ-памятью второго уровня.

Технические характеристики процессоров были следующими: технология производства – 45 нм, транзисторов в ядре – 410 млн., тактовая частота – 1,2-1,4 ГГц, частота шины FSB – 800 МГц, разъем – µFC-BGA 956, рабочее напряжение – 1,05-1,15 В, расчетная мощность – 5,5 Вт, наборы инструкций и технологии: MMX, SSE, SSE2, SSE3, SSSE3, SSE4.1, Intel 64, Enhanced Intel SpeedStep Technology, XD bit, iAMT2, Intel VT-x, TXT, IDA. [3][9]